据公开资料显示，栗浩洋拥有北京大学物理学学士学位和加州理工学院物理学博士学位。他曾于1999年获得北京大学物理学学士学位，随后前往加州理工学院攻读博士学位，并于2004年获得物理学博士学位。
在他的博士研究期间，他致力于研究基于纳米技术的新型半导体材料和器件。因此，可以说栗浩洋具有高学历背景和丰富的科研经验，这也为他在学术界和企业界的发展奠定了坚实的基础。
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